由于內(nèi)存價格暴跌，美光、SK海力士兩家內(nèi)存廠商都已經(jīng)大幅削減了投資，降低了產(chǎn)能，然而三星作為內(nèi)存一哥不為所動，不僅不打算減產(chǎn)，甚至還在擴大投資，明年新增至少10臺EUV光刻機，用于生產(chǎn)最新的12nm級內(nèi)存芯片。

三星在韓國的內(nèi)存工廠主要是位于平澤市的晶圓廠，其中P3晶圓廠目前的產(chǎn)能是每月2萬片晶圓，三星已經(jīng)計劃擴大投資，增加內(nèi)存生產(chǎn)設(shè)備，將產(chǎn)能提升到每月7萬片晶圓。

在這些設(shè)備中，最重要的就是EUV光刻機了，三星從14nm級別的內(nèi)存芯片開始引入EUV光刻機，EUV光刻機可以減少多重曝光工藝，提供工藝精度，從而可以減少生產(chǎn)時間、降低成本，并提高性能。

當(dāng)然，上EUV工藝的代價也不是沒有，EUV光刻機單價10億元以上，產(chǎn)量也不如傳統(tǒng)DUV光刻機，意味著初期成本會比較高。

按照三星的計劃，2023年的P3晶圓廠將新增至少10臺EUV光刻機，主要用于量產(chǎn)此前發(fā)布的12nm級DRAM內(nèi)存芯片。

12月21日消息，三星宣布全球首發(fā)12nm工藝的DDR5內(nèi)存，核心容量16Gb，并率先完成AMD平臺兼容認證。

三星是全球第一大DRAM內(nèi)存芯片公司，技術(shù)上也是最領(lǐng)先的之一，2021年率先推出了14nm DRAM芯片，用上了EUV工藝，這次的12nm DRAM內(nèi)存芯片則是進一步的技術(shù)升級版。

除了EUV工藝之外，12nm DRAM內(nèi)存還使用了高K材料及改善電路特性的專用設(shè)計技術(shù)，該內(nèi)存具有業(yè)界最高的存儲密度，而且晶圓生產(chǎn)效率提升了20%。

三星沒有提及太多的技術(shù)細節(jié)，速度上可達7.2Gbps，號稱1秒內(nèi)可以處理2部30GB的UHD電影，功耗比以前的DRAM降低了23%。